1. PERC 电池接近效率限，电池技术迭代需求迎爆发

1.1. N 型效率进展超预期，TOPCon 成本有望打平

PERC 发电原理-PN 结。太阳能电池利用光生伏特效应将太阳辐射直接转化为电能，其中 发电的关键在于制备 PN 结。光线照射提供能量使得 P 型硅和 N 型硅中的电子从共 价键中激发，由此产生电子-空穴对。当 P 型和 N 型半导体结合时会产生一个特殊 的薄层界面，界面 P 型侧带负电，N 型侧带正电。这是由于 N 型半导体区域电子浓 度较高，P 型半导体空穴浓度很高(带正电)，形成浓度差。N 型区域电子扩散到 P 区， P 型区域空穴扩散到 N 区，形成了 N 指向 P 的“内电场”，从而阻止了扩散进行， 达到平衡后这个薄层就形成了电势差，从而形成 PN 结。

太阳能电池分类。根据基底硅片不同可以分为 P 型电池和 N 型电池。P 型电池就是 在 P 型硅片（掺杂 3 价元素）制备 n+/p 结构的电池，P 型电池使用磷扩散工艺，主 要代表为早期的铝背场电池和目前主流的 PERC 电池，限转换效率为 24.5%。2015 年之前，BSF 电池占据 90%市场，2016 年 PERC 电池开始发力，到 2020 年 PERC 电池占比超过 85%。P 型电池工艺比较简单、成本低但是面临效率提升瓶颈。 N 型电池结构优化，具备更高的效率潜力。N 型电池则使用硼扩散工艺，在 N 型硅 片（掺杂 5 价元素）上制备 p+/n 结构，主要代表有 TOPCon 和 HJT，与 P 型电池相 比具有转换率高、温度系数低、双面率高以及载流子寿命高等优点。TOPCon 和 HJT 的限转换效率分别为 28.7%和 27.5%，远超目前主流 PERC 电池 24.5%限效率。

重要技术延伸-IBC 电池。IBC, 交叉指式背接触电池技术将 P/N 结、基底与发射区 的接触电以交指形状做在电池背面, 是光伏电池的重要技术发展路径也可制备 N 型电池，目前代表产品有隆基的 P 型 HPBC 和爱旭 N 型 ABC ，类 IBC 电池布局玩 家较少，同时隆基在 TOPCon 与 HJT 技术路线上均有布局，相较于 TOPCon 与 HJT， IBC 电池未来可能随着 N 型叠层技术需求的出现进一步放量，如 HBC/TBC 电池。

整面钝化技术引领第三代 N 型电池-TOPCon 与 HJT。2015 年前后，PERC 电池通 过在背面沉积氧化铝以及双面沉积氮化硅获得优异的界面钝化效果，成功从传统的 铝背场电池中接过了光伏电池的接力棒。到了第三代，隧穿氧化层电池， TOPCon(Tunnel Oxide Passivated Contact)，是 2013 年在第 28 届欧洲 PVSEC 光伏大 会上由德国 Fraunhofer 太阳能研究所首次提出，首先在背面制备一层 1-2nm 的隧穿 氧化层，然后再沉积一层掺杂多晶硅共同形成钝化接触结构，给硅片背面提供了良 好的界面钝化；本征薄膜异质结电池，HJT(Heterojunction with Intrinsic Thin-film)， 具备对称双面电池结构，中间为 N 型硅，在正面沉积本征非晶硅薄膜和 P 型非晶硅 薄膜形成 PN 结，背面沉积本征非晶硅薄膜和 N 型非晶硅薄膜，由于非晶硅导电性 较差，x后在两侧沉积透明导电薄膜 TCO 进行导电, 凭借优异的钝化技术，N 型电 池的转换效率显著提升。

叠层电池不断刷新限效率。由于不同区间光的波长不同，不同材料对光的吸收能 力不同，可以通过机械堆叠的方式使用多种材料增加光电转换效率。目前主要研究 方向为钙钛矿和砷化镓等直接带隙半导体材料，相比硅、锗等间接带隙半导体材料 具备更高的光吸收能力，但是大面积成膜仍存在困难，目前主流厂商处于百兆瓦 到 GW 生产，仍未大规模放量，设备仍然需进一步产业化提高成熟度。 剑指未来，N 型/钙钛矿叠层电池值得期待。N 型除了本身具备的效率高、温度低以 及载流子优势，还可以与钙钛矿等直接带隙半导体材料制作叠层电池例如 HBC 和 TBC 电池。2022 年 6 月晶科、北京大学与澳洲国立大学合作制备了单片钙钛矿 /TOPCon 叠层器件，以 TOPCon 结构晶硅电池作为底部电池，钙钛矿薄膜作为顶部 电池，转换效率达到了 27.6%；HJT 电池结构与叠层电池相容性更好，杭萧钢构子 公司合特光电 2022 年底将投产首条异质结/钙钛矿叠层电池中试线，目标效率为 28%。上述叠层电池通过制备两个 PN 结的为双结叠层电池，未来通过新工艺调节 半导体材料带隙和界面钝化，可达 30%以上转化效率。

1.1.1. 效率端：PERC 电池增效放缓，更新换代时机已至

PERC 组件尺寸标准化，功率提升放缓。单晶 PERC 电池自 2016 年的转换效率 20.8%， 组件功率 350w，在叠加了半片技术后功率提升至 375w；叠加多主栅技术以及大尺 寸硅片的导入目前转换效率已经来到了 23.8%，功率 550w 较 2021 年提升速度明显 放缓。根据 CPIA 的 2021 年《中国光伏产业发展路线图》，2021 年 PERC 电池占有 率达到了 91.2%。但目前天合光能 P-PERC 电池的实验室效率已经达到 24.5%，达 到了 ISFH 基于载流子选择性理论给出的 PERC 限效率 24.5%，其增效空间不断 压缩，新技术释放需求迫切。

PERC 目前仍占据主流，N 型技术实验室效率不断刷新。2022 年上半年以隆基、晶 科和迈为为首的龙头企业 N 型电池效率纪录不断刷新，晶科 N-TOPCon 的单晶实验 室效率达到了 26.10%，无铟 HJT 与 HJT 实验室效率分别达到了 25.40%与 26.50%， 有效验证了 N 型电池技术发展的可行性，我们预测未来 N 型电池仍将保持较高的 效率进展。 N 型量产效率超出预期，产业化进度加快。TOPCon 方面，以晶科能源和晶澳科技 为首的“双晶”中试线上的量产效率分别来到了 24.70%与 24.80%，先导智能官微 公告 GW TOPCon 量产效率突破 25%，较目前 PERC 头部企业 23.8%的量产效率 提高了 1%左右，为下游组件带来了溢价空间，根据行业测算，光伏组件效率每提升 1%，单块组件发电量可提升约 6%，系统 LCOE 成本降低约 4.7%。现阶段 TOPCon 组件市场溢价约 0.1 元/瓦；HJT 方面，目前已经开启 GW 生产的安徽华晟和金刚 玻璃的x佳批次效率分别来到了 25.45%与 24.95%。

1.1.2. 成本端：电池片减薄助力 N 型降本，TOPCon 成本有望打平 PERC

硅料扩产周期长于产业链其他环节，短期价格仍处高位。据 CPIA 介绍，硅棒、硅 片及电池片环节扩产周期在 6-9 个月，组件环节仅为 3-6 个月，而多晶硅和 EVA 颗 粒等扩厂周期长达 1-2 年，扩产周期不匹配环节造成了供需失衡。回顾历史受 2018 年下半年以来的多晶硅价格低迷影响，2019 年仅东方希望一家新建产能，叠加生产 成本上升因素 2020 年多晶硅产能不升反降。但后续受下游市场需求影响，多晶硅需 求大幅度上升而 2020 年有通威、协鑫、大全等新建产能需要到 2021 年底和 2022 年 才能释放。目前产能不匹配造成的空窗期使得硅料价格大幅增长，向下传导影响了 硅片和电池片价格一起上涨。据光伏协会 2022 年上半年产业链大会介绍，目前已有 21 家宣布扩产计划，其中 15 家为新进入者，总规划达到了 377.35 万吨。等待规划 产能落地，硅料价格有望下降，目前受需求影响价格将处于高位小幅波动。

硅片成本-HJT 薄片化占优

得益于良率和高功率优势，HJT 在硅片成本上较 PERC 和 TOPCon 有 15-30 微米的 薄片化优势，目前 HJT 一线厂家已经开始量产 120 微米 HJT 电池片，并开始尝试 100 微米别减薄。TOPCon 受制于高温工艺等因素减薄进度低于 HJT，主流量产 TOPCon 厚度在 135-150 微米左右，预计明年可减薄至 120 微米。

非硅成本- TOPCon 金属化和设备折旧占优

浆料成本目前仍为主要非硅成本。目前 PERC 银浆耗量约为 70-75mg/片，TOPCon 约为 100-130mg/片。HJT 方面，以安徽华晟 M6-12BB 为例，当前银耗约为 150mg/ 片，接近 PERC 的两倍，预计在 2024 年导入银包铜将银耗降至 60mg；设备投资方 面，HJT 约 3-4.5 亿元/GW，高于 PERC 1.2-1.5 亿元/GW 和 TOPCon 1.6-1.8 亿元 /GW。根据 PV InfoLink 测算，M10+150μm 的 N-TOPCon 在组件端成本较 PERC 高 0.06 元/瓦，叠加减薄和 SMBB 技术可和 PERC 组件成本接近持平(+0.02 元/瓦)。综 合来看，现在 TOPCon 组件 0.1 元左右的溢价水平，TOPCon 盈利能力已经显现。

TOPCon 成本效益先行，产业化进度处于上升周期。根据我们统计，已建 TOPCon 产能超过 41.6GW，总待建超过 219.5GW，进入了快速放量时期，这主要得益于 TOPCon 设备的快速降本以及电池本身的效率优势。目前以晶科为首，从 2022H1 就 开启 10GW 别以上大规模扩产，根据 2022 年中报介绍通威目前也由中试进入 TOPCon 扩产期，预计将于 2022 年底建成投产 8.5GW TOPCon 电池产线。若未来 TOPCon 与 HJT 的效率差在 1%以内并且保持金属化成本优势，则短期内 TOPCon 还将继续享受技术红利，进一步放量。 HJT 降本路径明确，等待降本技术产业化。根据 Trend Force 9 月统计，目前 HJT 已 建产能约 11.6GW，2022 计划建设产能 34GW，总规划 197GW，产业化进度低于 TOPCon。目前放量仍以 TOPCon 为主，异质结在工序和结构上具备天然优势，后续 随着低铟无铟、激光转印、钢板印刷、银包铜、无主栅等等技术的导入有望大幅降 低金属化成本，但目前 HJT 的经济效益仍弱于 TOPCon。

1.2. 发电端实证：TOPCon 组件发电增益明显，组件溢价空间增加

TOPCon 较 PERC 具备更低的衰减率。根据研究表明硼氧复合是造成衰减的重要原 因，而 N 型硅片掺杂磷元素有效避免了硼氧复合。PERC 组件首年的衰减约 2%， 之后每年-0.45%，以正泰新能为例，TOPCon 组件首年的衰减率小于等于 1%，逐年 的线性功率衰减小于等于 0.4%，较 PERC 组件已具备明显优势。N 型组件中，210- HJT 和 TOPCon 组件功率x高都来到了 700W+功率档。 发电端实证 TOPCon 组件发电增益明显。晶科地面电站数据表明，72 片 N 型组件 在水泥地、草地以及白漆地分别较有 3.31%、3.12%以及 5.32%的发电增益。根据正 泰新能产品白皮书，不同地区 N 型组件的增益不同，主要得益于双面增益和较低的 首年衰减率，两者均能带来约 1%的发电增益。目前 TOPCon 以及 HJT 的 210 组件 x高功率均已达到了 700W+的水平。

N 型 TOPCon 组件招标端已经实现溢价。根据我们整理的部分上半年组件中标情况 来看，N 型 TOPCon 的溢价水平在 0.04-0.19 元/W 不等，前期 TOPCon 处于推广期 溢价较小，但随着下游认可 TOPCon 组件的盈利能力开始修复，叠加海外俄乌战争 带来的能源危机和欧洲能源计划- REPowerEU，光伏装机需求再次提高，N-TOPCon 组件在海外有望迎来更高溢价。

1.3. Topcon 降本增效路径

1.3.1. 降本路径

TOPCon 降本主要集中在四个方向：1）金属化成本降低，通过 SMBB、激光转印和 栅线图形优化等技术降低银浆使用量；2）硅材料降本，目前 N 型硅片较 P 型存在 6%-8%的溢价，通过大尺寸薄片化降低硅片成本，目前减薄带来的价格下降低于节 省的硅料成本，未来不排除电池厂寻求代切片服务代替购买成品的可能性；3）通过 提高单台产能达到降本；4）提升工艺，双面钝化工艺以及掺杂技术优化提升效率达 到降本目的。同时 TOPCon 主流的 LPCVD 工艺存在石英管/舟损耗问题，目前可以 通过涂层工艺将石英管寿命提升至 4-12 个月，石英舟寿命约 6 个月对应清洗周期 15 天，当前每年更换 2-3 次炉管，石英件成本 200 万/GW，仍存在较大降本空间。

TOPCon 量产效率突破 25%，效率提升路径清晰。目前先导智能的 GW TOPCon 整线量产效率突破 25%。下阶段 TOPCon 引进激光 SE 技术预计可将转换效率提升 至 25.5%。后续通过引入 Poly finger 以及双面 Poly 技术可将转换效率提升至 26% 以上。进一步细分，栅线高宽比优化以及金属复合提升分别带来约 0.30%效率提升， 背面吸收光优化提升约 0.10%，正背面钝化提升以及金属接触提升预计也可分别带 来 0.15%效率提升；硅片品质也可带来 0.25%左右的效率提升。

2. Topcon 多种技术路线并存，PECVD 潜力值得期待

2.1. TOPCon 核心工艺-沉积氧化硅与多晶硅层

TOPCon 制备关键-氧化层与掺杂多晶硅层的沉积。根据氧化层和掺杂多晶硅层的 沉积方法的不同,TOPCon 存在多种制备路径。氧化硅层制备中，湿化学氧化法多属 于实验室制备方案，工业上以热氧化和 PEALD 为主。掺杂多晶硅薄膜层则使用薄 膜沉积设备，一般划分为 PVD、CVD 以及 ALD 技术。PVD 技术沉积速率x快但后 盾均匀性较差，可应用于 HJT 的透明电；CVD 技术主要包含 PECVD 和 LPCVD 应用x为广泛，CVD 设备成熟度较高，沉积速率和镀膜均匀性也较为均衡；ALD 设 备沉积速率x慢但均匀性x好。

2.2. Topcon 主流量产路线

TOPCon 存在四种主流量产路径，LPCVD+磷扩占据上半年 90%的出货。 1）LPCVD 法，即低压化学气相沉积，在低压条件下热分解气体源或化学反应沉积 所需薄膜，目前行业占比约 67%，国内外起步较早，基础工艺成熟但原位掺杂速率 较慢一般配合磷扩散炉且存在较重的绕镀问题，但拉普拉斯使用水平插片可将绕镀 控制在 10mm 以内，预计年底推广； 2）PECVD 法，即等离子体增强化学气相沉积，借助微波或射频等使含有薄膜组成 原子的气体，在局部形成等离子体，而等离子体化学活性很强，很容易发生反应， 在基片上沉积薄膜，目前行业占比约 24%，PECVD 的优势在于可以实现 SiO2 隧穿 层，poly 层，原位掺 P 三合一，减少设备数量提升生产效率，但 PECVD 沉积的 SiO2 隧穿层均匀性较差影响转换效率，同时存在一定的绕镀的问题； 3）PEALD+PECVD 法，使用 PEALD 沉积 SiO2 隧穿层解决原有的不均匀性问题， 同时使用 PECVD 可以较好的完成 poly 层沉积和原位掺杂，减少绕镀； 4）PVD 法，即物理气相沉积，利用氧气电离形成隧穿、硅源靶材轰击的方式进行 沉积 Poly，不存在绕镀问题，但受制于设备价格高且良率约 95%低于 LPCVD 的 97%，产业化进度较慢，行业占比约 9%。

TOPCon 设备各技术路线进展

LPCVD 线路-50GW 别量产，技术明确正处于快速扩张期

LPCVD 技术路线成膜速率在 5-8nm/min，使用单插时 4300pcs，双插时 8000pcs 具 备产能大，氧化生长质量高等优势，同时 LAPLACE 水平插片可将绕镀控制在 10mm 以内。GW 别的量产效率达到 24.9%，研发实验室效率来到了 25.7%，同时 GW 别的产品良率达到 97%，在效率、良率、产能以及成本上达成了较好的兼顾。目 前仍存在的问题是石英件的损耗，以目前每年 200 万元/GW 的成本计算，预计增加 0.002 元/W 的成本，同时沉积速率仍然较慢，存在改良空间。

PECVD 线路-16GW 规模待产，潜力值得期待

PECVD 技术路线成膜速率在 10nm/min，采用原位三合一方式，生产效率较高设备 机台数更低，绕镀面积在 2mm 以内，但良率以及效率数据仍旧等待 GW 验证。 但 PECVD 生产的氧化层不均匀导致效率离散性较高，原位掺杂也会导致陶瓷环导 电缩短石墨舟的维护周期，同时也存在 PH3 消耗过高等问题。PECVD 设备投入低 于 LPCVD，生产效率较高若良率验证具备优势，未来有望迎来较大规模扩张。

PVD 线路-6GW 量产，保养周期长良率数据不理想

PVD 技术路线由江苏杰太主导，磁控溅射需要用到靶材，虽然 PVD 不存在绕镀现 象，但 PVD 设备每 30 天需要保养约 2 天，同时更换靶材也需要 3 天时间，GW 别验证的量产效率为 24.5%，良率仅为 95%，明显低于 LPCVD 路线，同时设备价 格也高于 LPCVD 路线，现阶段 PVD 路线优势不明显，未来扩产速度将会低于 LPCVD 和 PECVD。

2.3. 市场空间测算

2.3.1. Topcon 各技术路线固定资产投入 CAPEX 对比

LPCVD 与 PECVD 综合总投入成本接近。根据拉普拉斯统计，LPCVD 路线和 PECVD 路线 GW CoO 分别为 0.0313 元/W 和 0.03 元/W，十分接近。PECVD 需 要额外配置尾气处理和饱和机台，但得益于大产能优势，对应机台数减少。PECVD 和 LPCVD 的综合总投入成本分别为 3106.5 万元和 3124 万元，两者差距并不明显， 那未来主流生产路径的考量的就是量产效率以及良率。

POPAID 即 PVD 路线整线价格昂贵，设备投资高于其他路线。根据中来股份 16GW 高效单晶电池智能工厂(一期 8GW)的设备投资额来看，整线设备(含自动化)约 1.8 亿 元/GW，单 GW 的 PVD 设备投资额约 4,313 万元，高于 LPCVD 和 PECVD 路线。 PVD 设备在沉积掺杂多晶硅层有无绕镀优势，但仍需 PECVD 设备沉积隧穿层。同 时 PECVD 存在膜层厚度不均匀、气泡等问题。

2.4. Topcon 设备市场空间

根据 CPIA 数据显示，2022 年 1-8 月我国光伏装机量 44.47GW，光伏组件出口突破 100GW。2022 年 6 月，SPE 预测 2022 年全球光伏新增装机量约 270.8GW 到 2026 年达到 458.8GW，考虑现阶段的 N 型技术转型，我们认为未来今明两年将是电池扩 产的高峰，2022 年新增电池片产能约 200GW。 目前 TOPCon 已建产能 40GW 以上，根据各家扩产计划，我们预计2022 年底 TOPCon 产能约 70-80GW，以此推算 2022 年 TOPCon 新增产能渗透率约在 29.85%-34.85% 之间，从扩产规模来看 2023 年 TOPCon 仍能保持较高的扩产速度。工艺选择上，若 PECVD 能取得良率优势，叠加大产能和少绕镀优势，则 PE 路线渗透率将会逐步提 高。

3.重点公司分析

3.1. 捷佳伟创-光伏设备龙头，三合一 PECVD 设备潜力值得期待

具备 TOPCon 整线交付能力，湿法和沉积工艺设备优势明显。捷佳伟创为太阳能电 池生产设备龙头供应商，核心产品包括 PECVD、扩散炉、清洗制绒设备等，对后道 的丝网印刷及各环节的自动化设备均有所涉及，产品全面覆盖制绒清洗、扩散制结、 刻蚀、制备减反射膜、印刷电、烧结和自动分选的全工序段。2021 年底就与润阳 光伏签订 5GW PERC+升 TOPCon 改造订单，同时 PE-Poly 三合一设备订单开始 落地，10 月 20 日官微公告，N-TOPCon SE 激光及专用高温设备取得批量订单，海 外签订 10GW PE-Poly 路线的 TOPCon 整线 Turnkey 合同。 光伏行业景气度保持高位，利润率修复显著。根据 CPIA 数据，2022H1 光伏产品(硅 片、电池片、组件)出口总额约 259 亿美元，同比增长 113%，叠加欧洲能源危机等 因素，下游需求旺盛有效带动上游扩产动力。较 2021 年，利润率方面 2022H1 毛利 率+0.87pct，净利率+4.76pct，盈利能力修复明显。受疫情影响，2022H1 存货约 47.01 亿元，占总资产比 32.52%，随着后续疫情缓解和订单落地有望得到改善。

前瞻布局多元化，钙钛矿设备持续出货。公司在 HJT、IBC 和钙钛矿等技术上也有 所布局。异质结方面，子公司常州捷佳在 2021 年 7 月中试 HJT 电池片首片下线,打 通 HJT 制绒、非晶硅镀膜、TCO 和丝网印刷四大工序，管式 PECVD 已进入量产化 定型阶段，在客户端得到了充分的验证，截止 2022 年 7 月底完成 GW HIT 电池 产线设备出货。同时，钙钛矿技术路线的 RPD 镀膜设备也中标量产订单，构建起坚 实的技术壁垒，并向钙钛矿整线设备研发拓展。在当前时点，多技术路线布局也为 后续光伏技术发展路径占据主动权。

3.2. 海目星-在手订单充足，TOPCon 微损设备打开全新增长

中标光伏激光设备大单，新领域突破性进展。2022H1 公司实现营业收入 11.95 亿元 (yoy+116.29%), 归母净利润 0.94 亿元(yoy+189.84%)，光伏领域的突破为公司带来 新的业绩增长点。海目星为激光及自动化设备供应商，主营产品覆盖动力电池激光、 3C 消费类电子激光以及钣金激光切割设备及其配套自动化设备。今年 4 月 16 日， 公司发布公告宣布中标晶科能源 10.67 亿元的激光微损设备。10 月 18 日官微公告 光伏高效电池关键激光设备订单批量出货，正式交付客户。

在手订单充足，定增计划扩大产能。截至 2022 年 7 月 29 日，公司在手订单约为 72 亿元（含税），相比 2021 年底的 51 亿元（含税）增加约 41.18%，下游对激光加工 需求旺盛，涵盖多个制造领域包括动力电池、消费电子、光伏电池和显示面板，给 公司设备交付安装带来一定压力。目前海目星已经发布定增预案，10 月 11 日发布 第三次临时股东大会审议通过公告，拟定增规模不超过 20 亿元，并计划投资约 27.5 亿元用于扩大产能和补充资金，其中西部总部及激光智能装备制造基地项目（一期） 将投入部分资金用于光伏激光及自动化设备产能建设。产能扩建打通公司订单交付 瓶颈，随着下游需求和订单增加，公司有望进一步受益。

3.3. 帝尔激光-光伏激光设备龙头，激光转印技术蓄势待发

PERC 时代激光设备龙头，技术创新打开新市场。2022H1 公司实现营业收入 6.65 亿元(yoy+10.75%), 归母净利润 2.16 亿元(yoy+21.43%)。公司在光伏激光加工领域 占据龙头位置，主要激光设备覆盖 PERC、TOPCON、HJT、IBC 和钙钛矿多种技术 路线，产品包含：PERC-PERC 激光消融、SE 激光掺杂；TOPCon-激光掺杂(效率提 升 0.2%)和激光开膜；HJT-LIA 激光修复；IBC-激光开槽(2022H1 订单 40GW，独占 市场)。

激光转印技术为金属化降本关键路径

主要分为填充和转印两个步骤： 1）填充工艺：在填充位置上面放置带有沟槽的特殊耗材薄膜，并用两个刮刀分别以 60°和 130°倾斜角度将浆料刮进沟槽中形成凹面糊状表面，x后反转 180°放置。 2）转印工艺：利用激光照射薄膜背面，吸收足够能量后形成高压蒸汽层，压力达到 一定条件浆料就会释放到基材表面(电池片) 激光转印设备成功出货，平台型技术布局多技术路线。2022 年 9 月 20 日，公司官 微宣布全球首创的激光转印设备订单开始交付由中试验证转入量产阶段。前期中试 验证激光转印在光伏各技术路线中对节约银浆耗量、提升印刷一致性、降低栅线遮 光面积以及破片率等具备较高应用前景。PERC 上已经论证 18μm 以下浆料节约 30%，等待电池厂量产数据认证，激光转印技术对金属化成本降本具有重要意义， 若经济性得到量产验证有望迎来大规模放量。